FDN327N ทรานซิสเตอร์สนามผล (MOSFET) N-channel 20V 2A

FDN327N ทรานซิสเตอร์สนามผล (MOSFET) N-channel 20V 2A

รุ่น:FDN327N
ยี่ห้อ: ON Semiconductor
สินค้าคงคลัง: 914 ชิ้น
ขั้นต่ำ: 2 ชิ้น
เวลาจัดส่ง: 3 วัน
ส่งคำถาม
คุยตอนนี้
คำอธิบาย

FDN327N ทรานซิสเตอร์สนามผล (MOSFET) N-channel 20V 2A

หมายเลขรุ่นFDN327N
ประเภท FETN-ช่อง
ระบายไปที่แหล่งที่มา20V
หมุนเวียน -2A (ตา)
ไดรฟ์แรงดัน1.8V, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด)1.5V @ 250µA
ค่าเข้าประตู6.3nC @ 4.5V
ความจุอินพุต423pF @ 10V
Vgs (สูงสุด)±8V
การสูญเสียพลังงาน500mW (ตา)
Rds On (สูงสุด)70 mOhm @ 2A, 4.5V
อุปกรณ์ซัพพลายเออร์ซูเปอร์โซต-3
แพ็คเกจ / เคสถึง-236-3, SC-59, SOT-23-3
ชื่ออื่น

FDN327N-ND


FDN327N ทรานซิสเตอร์สนามผล (MOSFET) N-channel 20V 2A

ป้ายกำกับยอดนิยม: fdn327n field effect transistor (mosfet) n-channel 20v 2a, China, ซัพพลายเออร์, ขายส่ง, ซื้อ, ราคาถูก, ส่วนลด, ราคาต่ำ, มีสินค้าในสต๊อก

ส่งคำถาม